Статья: Моно- и поликристаллические пленки германия и германий-олова, легированные атомами галлия в процессе газофазного (2025)

Читать онлайн

Моно- и поликристаллические пленки Ge и GeSn, in situ легированные атомами Ga, которые испарялись из источника Ge: Ga, выращивали методом HW CVD на подложках Si(100) и SiO2/Si(100). Методами рентгеновской дифракции, а также методами холловских измерений и CV-профилометрии исследованы их структурные и электрические свойства. При соиспарении легирующей примеси (Ga) из сублимирующего источника Ge: Ga в газофазном осаждении Ge с разложением GeH4 на «горячей нити», внедрение атомов Ga в растущую пленку контролировали путем изменения температуры подложки от 300 до 500 С или соотношения потоков Ga и Ge. Для повышения потока атомов Ga из источника Ge: Ga в нем формировали зону расплава, что позволило увеличить концентрацию дырок в поликристаллических пленках GeSn: Ga до 5,41019 см-3.

Mono- and polycrystalline Ge and GeSn films doped in situ with Ga atoms evaporated from a Ge: Ga source were grown by HW CVD on Si(100) and SiO2/Si substrates. Their structural and electrical properties were studied using X-ray diffraction, Hall measurements, and CV-profilometry. During co-evaporation of the dopant from a sublimating Ge: Ga source in the vapor-phase deposition of Ge with the decomposition of GeH4 on “hot wire”, the incorpo-ration of Ga atoms into the growing film was controlled by changing the substrate tempera-ture from 300 to 500 C on the ratio of Ga and Ge flows. To increase the Ga atom flux from the Ge: Ga source, a melt zone was formed in it, which made it possible to increase the hole concentration in the polycrystalline GeSn films to 5.41019 cm-3.

Автор (ы): Шенгуров Владимир Геннадьевич
Соавтор (ы): Титова Анастасия Михайловна, Алябина Наталья Алексеевна, Денисов Сергей Александрович, Чалков Вадим Юрьевич, Бузынин Юрий Николаевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
533.2. Упругость, сжимаемость. Сжижение. Газовые смеси
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-4-74-80
Для цитирования:
ШЕНГУРОВ В. Г., ТИТОВА А. М., АЛЯБИНА Н. А., ДЕНИСОВ С. А., ЧАЛКОВ В. Ю., БУЗЫНИН Ю. Н. МОНО- И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ ГЕРМАНИЯ И ГЕРМАНИЙ-ОЛОВА, ЛЕГИРОВАННЫЕ АТОМАМИ ГАЛЛИЯ В ПРОЦЕССЕ ГАЗОФАЗНОГО // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. №4
Текстовый фрагмент статьи