Статья: Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области (2024)

Читать онлайн

В широком диапазоне температур проведено исследование механизмов формирования темнового тока и фототока в nBn-структуре на основе n-HgCdTe, выращенной
методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), со сверхрешеткой в барьерной
области. Исследовано влияние различных уровней постоянной подсветки на электрические характеристики структур. Проведен анализ поведения объемной компоненты тока JB и компоненты тока поверхностной утечки JS при различных напряжениях смещения и температурах. Исследование показало сильную зависимость плотности темнового тока от температуры. Продемонстрировано существенное влияние
постоянной подсветки ИК-светодиодом на значение плотности тока. Показано доминирование компонент тока JB над JS во всём исследованном диапазоне напряжений смещения и температуры.

Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич, Дзядух Станислав Михайлович, Горн Дмитрий Игоревич, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай, Сидоров Георгий Юрьевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., ДЗЯДУХ С. М., ГОРН Д. И., ДВОРЕЦКИЙ С., МИХАЙЛОВ Н., СИДОРОВ Г. Ю. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОКА В NBN-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ HGCDTE СО СВЕРХРЕШЕТКОЙ В БАРЬЕРНОЙ ОБЛАСТИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. № 4