Статья: Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии
Рассмотрено влияние диффузии фосфора из жидкого источника (POCl3) и твердого источника (метафосфат алюминия (МФА)) на образование локальных дефектов в слоях SiO2 и на поверхности кремния. Установлено, что вероятной причиной образования дефектов является локальное проплавление слоя окисла жидким фосфорно-силикатным стеклом с образованием твердой фазы, обогащенной кремнием. Глубина дефекта пропорциональна его диаметру и уменьшается с понижением температуры процесса.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
- Просмотров
- 9
Предпросмотр документа
Информация о статье
- ISSN
- 1996-0948
- EISSN
- 2949-561X
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2025-2-39-45
- Журнал
- Прикладная физика
- Год публикации
- 2025