Статья: Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии

Рассмотрено влияние диффузии фосфора из жидкого источника (POCl3) и твердого источника (метафосфат алюминия (МФА)) на образование локальных дефектов в слоях SiO2 и на поверхности кремния. Установлено, что вероятной причиной образования дефектов является локальное проплавление слоя окисла жидким фосфорно-силикатным стеклом с образованием твердой фазы, обогащенной кремнием. Глубина дефекта пропорциональна его диаметру и уменьшается с понижением температуры процесса.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем
Просмотров
5

Предпросмотр документа

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-2-39-45
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2025
Автор(ы)
Климанов Е. А., Болтарь К., Вильдяева М. Н., Малыгин В. А., Макарова Э. А.