Статья: Фотоприемные устройства на основе p–i–n и барьерных структур средневолнового ИК диапазона спектра

Скачать

Исследованы многослойные структуры на основе полупроводниковых материалов группы антимонидов с поглощающими слоями InSb, и AlxIn1-xSb, в том числе структуры с барьерным слоем InAlSb (InSb/InAlSb/InSb), предназначенные для изготовления перспективных фотоприемных устройств (ФПУ), детектирующих излучение в средневолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра. На основе выращенных методом МЛЭ p–i–n и барьерных структур изготовлены фоточувствительные элементы (ФЧЭ) различной топологии с поглощающими слоями InSb, и AlxIn1-xSb. Показано, что широкозонные тройные растворы AlxIn1-xSb детектирующие излучение в средневолновой области спектра, являются альтернативой узкозонному бинарному соединению InSb, поскольку, вследствие широкозонности, фотодиоды на основе AlxIn1-xSb имеют меньшие темновые токи, а, следовательно, шумы. Для фотоприемных устройств на основе структур различной топологии измерены средние значения обнаружительной способности и эквивалентной шуму разности температур (ЭШРТ), так для р–i–n-структур среднее по ФЧЭ значение обнаружительной способности превысило D*  1011 см Вт-1 Гц1/2, а для структур с барьерным слоем – D*  1012 см Вт-1 Гц1/2.

Информация о документе

Формат документа: PDF
Кол-во страниц: 1 страница
Загрузил(а): Болтарь Константин
Лицензия: —
Доступ: Всем
Просмотров: 5

Информация о статье

ISSN: 1996-0948
EISSN: 2949-561X
Префикс DOI: 10.51368/1996-0948-2021-6-30-40
Журнал: Прикладная физика
Год публикации: 2021
Автор(ы): Болтарь К., Яковлева Н., Лопухин А. А., Власов П. В.
Ключевые фразы: барьер, рBn-структура, MWIR, InAsSb, матрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ), темновой ток, barrier, рBn-structure, InAlSb, Focal Plane Array (FPA), dark current
Каталог SCI: Физика
УДК: 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем