Статья: DFT-АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО И ЗАРЯДОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ИНТЕРФЕЙСЕ SI/GE/SI ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ДЫРОЧНЫХ КУБИТОВ

Наиболее популярными на сегодняшний день квантовыми вычислителями являются спиновые кубиты, а особенно можно выделить дырочные спиновые кубиты. Базовым материалом для реализации данной технологии считается германий. Главной особенностью германия является сильное спин-орбитальное взаимодействие, способность к масштабируемости и совместимость с классическим производственным процессом. В данной работе методом ab-initio расчета было произведено построение модели интерфейса Ge-Si и исследованы квантовые состояния интерфейса кремния и германия, представляющего собой тонкослойную структуру Ge, заключённую между слоями Si, при наличии в нём дырок с четным и нечетным числом. Были определены локализации дырочных состояний в интерфейсе, произведен анализ зарядового распределения в системе.