Архив статей журнала
Исследовано влияние обработки поверхностей тонких пленок на основе оксидов индия
и олова (ITO) в плазме кислорода на свободную поверхностную энергию (СПЭ). Сравни-
вались модификации на основе ITO c углеродными нанотрубками, нанесенных методом
лазерно-ориентированного осаждения, с поверхностями ITO, полученных методом
магнетронного распыления. Исследование проводилось при помощи измерения кон-
тактных углов смачивания с последующим расчетом СПЭ методом Оуэнса-Вендта.
Показано, что при совместном использовании буфера на основе углеродных нанотру-
бок (УНТ) и плазменной обработки поверхностей ITO доступна перестройка поляр-
ных и дисперсионных компонентов СПЭ в диапазонах 0,1–67,5 мДж/м2 и 9,7–
22,7 мДж/м2 . Указанные подходы позволяют расширить функционал модификаций на
основе ITO с УНТ в оптической электронике.
Исследовано изменение спектров диффузного отражения модифицированного нано-
частицами nSiO2 микропорошка mZnO (mZnO/nSiO2 ) при раздельном и одновременном
облучении электронами с энергией 30 кэВ и протонами с энергией 5 кэВ. Проведены
расчеты коэффициента аддитивности (К адд), определяемого отношением значений
суммы аs при раздельном облучении к его значениям при одновременном облучении.
Установлено, что Кадд в зависимости от времени облучения изменяется от 0,95 до
0,92. Расчеты для времени пребывания на геостационарной орбите в течение 7 лет
дают значение К адд = 0,87. Поэтому при наземных испытаниях такого пигмента для
терморегулирующих покрытий космических аппаратов, предназначенных для дли-
тельных сроков полетов необходимо осуществлять совместное действие этих видов
излучений или учитывать значения К адд.
Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мето-
дом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы
возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии
0,4 Дж/см2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плот-
ностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинно-
волновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции,
интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций.
Приведены результаты исследования амплитудных характеристик шумовых диодов,
а именно зависимость амплитуды и частоты импульсов шумовых диодов от напря-
жения обратного смещения. В качестве объектов исследования были выбраны крем-
ниевые шумовые диоды производства ОАО «ЦВЕТОТРОН» (Республика Беларусь)
моделей ND102L, ND103L и ND104L. Получено, что увеличение перенапряжения при-
водит к увеличению среднего значения амплитуды шумовых импульсов. Установлено,
что наибольшая стабилизация напряжения питания для поддержания постоянного
значения амплитуды шумовых импульсов необходима для шумовых диодов ND104L, а
наименьшая для ND102L. Установлено, что амплитудные распределения импульсов
шумовых диодов имеют ярко выраженный максимум, который смещается с ростом
перенапряжения в сторону больших значений амплитуд, а величина этого пика
уменьшается с увеличением перенапряжения. Результаты этой работы могут найти
применение при разработке цифровых систем передачи и защиты информации
Экспериментально исследовано при атмосферном давлении в воздухе влияние угловой
скорости вращения диэлектрика в ячейке диэлектрического барьерного разряда (ДБР)
на потребляемую активную мощность. Установлена существенная зависимость по-
требляемой активной мощности ячейкой ДБР от частоты вращения диэлектриче-
ского диска. Исследования проводились при напряжении отрицательной полярности
на высоковольтном электроде, поскольку ранее было установлено, что при отрица-
тельной полярности озон синтезируется интенсивнее.
Приведены экспериментальные данные обтекания и разрушения вольфрамового
стержня плазменной струей из щелевого выходного отверстия плазмотрона посто-
янного тока. Предложена методика оптической онлайн-диагностики изменения фор-
мы и объема обтекаемого образца на основе теневого метода с лазерной подсветкой.
За время эксперимента 100 с на боковой (цилиндрической) поверхности стержня диа-
метром 2 мм сформировалась выраженная эрозия, а его масса уменьшилась на 0,2 г при
обтекании плазмой из аргона (расход 2 г/с, среднемассовая скорость около 140 м/с, ток
150 А, напряжение 44 В). Контрольное измерение массы на точных весах показало хо-
рошее совпадение результата обработки изображений с истинным значением.
С помощью предложенного метода показана динамика изменения массы вольфрамо-
вого стержня за время эксперимента.
Приводятся результаты исследования дрейфа низкочастотного шума углеродных ре-
зисторов в диапазоне частот 5 10 -4 –1 кГц после 108 часов электроимпульсной обра-
ботки при напряжении 35 В и длительности импульса 10 мкс. На основе анализа по-
лученных спектров зафиксирован рост низкочастотного шума на 5 и 12 % при полосе
пропускания 500 и 5 Гц, при этом дрейф сопротивления образцов составил менее 1 %.
С технологической и научной точки зрения получен важный результат, который в
будущем может использоваться для оценки надежности при исследовании структур
твердотельных электронных приборов.
Исследована новая конструкция жидкокристаллического модулятора для терагерцо-
вого диапазона. Предложенная конструкция состоит из набора тонких стандартных
-ячеек, каждая из которых имеет собственное электроуправление, а весь набор по-
мещен между поляризатором и анализатором. Если исходное терагерцовое излучение
поляризовано линейно, то входной поляризатор в устройстве отсутствует, что су-
щественно повышает суммарный коэффициент пропускания модулятора. Число
стандартных жидкокристаллических
-ячеек определяется толщиной одной такой
ячейки и условием максимума коэффициента пропускания интерференции поляризо-
ванных волн. Полное время срабатывания такого модулятора определяется быстро-
действием одной стандартной
-ячейки составляет несколько миллисекунд.
При этом коэффициент пропускания, для длины волны не превышающей 30 мкм, та-
кого устройства может быть не менее 15 %. Увеличить суммарный коэффициент
пропускания жидкокристаллического модулятора можно путем оптимизации опти-
ческих параметров стандартной жидкокристаллической ячейки, что позволит одно-
временно увеличить диапазон модуляции ТГц-излучения.
Проведено численное моделирование малых поперечных смещений неоднородной диэлектрической пластины относительно ближнепольного многомодового СВЧ-зонда на основе линии передачи в виде квадратного волновода, заполненного фторопластом, с размещенным внутри соосным коаксиальным волноводом. Размеры волноводов и рабочий диапазон частот выбраны таким образом, чтобы в пространстве между стенками квадратного волновода и экраном коаксиального могли распространяться моды типа ТЕМ, Н10 и Н01. На одном из торцов квадратного волновода предусмот-рен металлический экран с субволновым отверстием. Численными методами прове-дено исследование взаимодействия зонда с диэлектрической пластиной с располо-женным на ней модельным металлическим квадратом. Получены коэффициенты преобразования основной моды TEM в моды H10 и H01 в зависимости от смещения пластины с неоднородностью относительно зонда в плоскости квадрата. Полученные при расчете величины коэффициентов преобразования мод составляют до -30 дБ и достаточны для обнаружения их средствами измерений. Предложенная конструкция может быть использована для измерения малых поперечных смещений с точностью около 1–2 % длины волны (0,3 мм для частоты 20 ГГц (длина волны 1,5 см)).
Исследуется возможность получения высокоскоростных плазменных потоков с по-мощью теплового неизотермического ускорителя плазмы нового типа, содержащего полый резонатор и представляющего собой модифицированный магнитоплазмодина-мический ускоритель. Для создания и нагрева плазмы используется безэлектродный СВЧ-разряд. Выведена формула для магнитного момента, обусловленного движением электрона по эллиптической орбите под действием поля СВЧ-волны. Получены фор-мулы, определяющие энергию электрона и среднюю скорость возрастания его тепло-вой энергии в рамках нерезонансной «столкновительной» модели поглощения элек-тронами энергии СВЧ-излучения. Представлена формула кинетической энергии, при-обретаемой электроном от микроволны в процессе его бесстолновительного нагрева. Определено пороговое значение напряжённости электрического поля СВЧ-разряда и мощности СВЧ-генератора, необходимой для зажигания и поддержания разряда. Рассмотрев ускорение идеально проводящей плазмы в магнитном сопле, получена оценка направленной скорости плазменного потока. Отмечено, что результаты экспериментальных измерений скорости ионов, ускоренных модифицированным ускорителем, соответствуют оценке максимальной скорости ионов.
Экспериментально исследуется процесс истечения высокоэнтальпийной затопленной струи газа из щелевого выходного отверстия плазмотрона постоянного тока. С по-мощью лазерного оптического теневого метода выполнена визуализация картины истечения в двух взаимно перпендикулярных плоскостях струи. Предложен метод об-работки цифровых изображений струи, который позволил определить границы струи, углы её раскрытия и их динамику – средние значения углов составили (19 2) и (11 2) в плоскостях вдоль и поперек длинной стороны щели соответственно. На основе полученных данных определен режим истечения и проведено сравнение
с известными литературными данными.
Представлены сравнительные результаты изменения структуры и состава Mn-Zn ферритов после модификации их поверхности сконцентрированным излучением лазера на СО2 в воздушной атмосфере и потоком низкоэнергетических электронов с энергией 10 кэВ при давлении 5–20 Па. В обоих вариантах воздействия модификация заключалась в оплавлении поверхности феррита на глубину 50–100 мкм с последующей вторичной рекристаллизацией расплавленного слоя. Установлено, что при электрон-но-лучевой обработке потери цинка и степень деферритизации поверхностного слоя выше, чем при лазерной обработке.