Статья: Исследование процесса плазмохимического травления диоксида кремния для изготовления изделий МЭМС (2025)

Читать онлайн

Исследованы селективности травления диоксида кремния к фоторезисту, а также к кремнию в различных условиях низкотемпературной фторуглеродной ВЧ-плазме. Получены результаты по неравномерности скорости травления диоксида кремния и фоторезиста при различных условиях по поверхности кремниевой подложки диаметром 150 мм. Было установлено, что селективность травления диоксида кремния к фоторезисту и неравномерность травления обоих материалов сильно зависят от давления внутри камеры и состава газовой смеси и в меньшей степени от мощности ВЧ-разряда. Полученные результаты были использованы для травления диоксида кремния через фоторезистивную маску для формирования двуслойной защитной маски

The etching selectivity of silicon dioxide to photoresist and to silicon was researched at different regimes of low-temperature fluorocarbon RF plasma. The results on the nonuniformity of the etching rate of silicon dioxide and photoresist were obtained at different regimes on the surface of a silicon substrate with a diameter of 150 mm. It was found the selectivity of silicon dioxide to photoresist and the etching nonuniformity of both materials highly depend at the chamber pressure and the gas mixture and, to a lesser extent, on the RF discharge power. The obtained results were used for etching silicon dioxide through a photoresist mask to form a two-layer protective mask

Автор (ы): Каранин Никита Сергеевич
Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
533.924. Взаимодействие плазмы с поверхностью твердого тела
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-3-42-46
Для цитирования:
КАРАНИН Н. С. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ МЭМС // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. № 3
Текстовый фрагмент статьи