С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.
In order to create conditions for the industrial production of modern domestic semiconductor materials for the needs of power and microelectronics by the method of self-propagating high-temperature synthesis, a mixture was obtained, which is necessary for the growth of bulk single crystals of silicon car-bide 4H-polytype with a diameter of 100 mm (150 mm – in the future). The charge synthesis was real-ized on industrial plants of BaSiC-T (PVATepla) growth systems using a number of structural elements of their thermal zone. The analysis of the granulometric, phase and polytype composition of dispersed powders of the SiC-charge obtained under various synthesis conditions is carried out.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 43995285
Методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, используя промышленные установки BaSiC-T, предназначенные для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния, получены образцы порошков шихты SiC с целью ее дальнейшего использования в качестве источника молекулярного карбида кремния. Синтез шихты проходил в среде аргона или вакуума в ростовой ячейке BaSiC-T при температурах стадии выдержки 1920–2200 ºС в течение 2 часов. Установлен гранулометрический состав полученных дисперсных порошков. Линейные масштабы частиц карбида кремния лежат в интервале 0,3–500 мкм. Полученная методом СВС шихта будет использована для проведения процессов роста объемных монокристаллов карбида кремния 4H-политипа диаметром 100 мм (в перспективе – 150 мм) с их последующей резкой на пластины толщиной 0,3– 0,9 мм, шлифовкой, полировкой с целью дальнейшего продолжения работ по реализации проекта запуска промышленного производства затравочных пластин 4H-SiC, а также подложек карбид-кремниевого полупроводникового материала для нужд силовой электроники.
Список литературы
1. Программа «Цифровая экономика Российской Федерации». [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://static.government.ru/media/files/9gFM4FHj4PsB79I5v7yLVuPgu4bvR7M0.pdf
2. Рогалин В. Е., Каплунов И. А., Кропотов Г. И. // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 155. № 6. С. 851.
3. BaSiC-T: новое поколение систем – кристаллы карбида кремния (SiC) для массового производства. [Электронный ресурс]. Режим доступа: https:// 1prime.ru/press_release/20131001/767293694.html
4. Лучинин В. В., Таиров Ю. М. // Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36.
5. Мержанов А. Г. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез: Двадцать лет поисков и находок. – Черноголовка: ИСМАН, 1989.
6. Мержанов А. Г., Боровинская И. П. // ДАН СССР. 1972. Т. 204. № 2. С. 366.
7. Мержанов А. Г. // ДАН. 1997. Т. 353. № 4. С. 504.
8. Yamada O., Miyamoto Y., Koizumi M. // Amer. Cer. Soc. Bul. 1985. Vol. 64. № 2. P. 319.
9. Pampuch R., Stobierski L., Liz J., Raczka M. // Mat. Res. Bull. 1987. Vol. 22. P. 1225.
10. Pampuch R., Stobierski L., Liz J. // J. Amer. Cer. Soc. 1989. Vol. 72. № 8. P. 1434.
11. Квашина Т. С., Крутский Ю. Л., Черкасова Н. Ю., Кузьмин Р. И., Тюрин А. Г. // Докл. АН ВШ РФ. 2017. № 4 (37). С. 80.
12. Московских Д. О., Мукасьян А. С., Рогачев А. С. // ДАН. 2013.Т. 449. № 2. С. 176.
1. The program “Digital Economy of the Russian Federation.” [Electronic resource]. Access mode: http://static.government.ru/media/files/9gFM4FHj4PsB79I5v7yLVuPgu4bvR7M0.pdf
2. V. E. Rogalin, I. A. Kaplunov, and G. I. Kropotov, Optics and Spectroscopy, 155 (6), 851 (2018).
3. BaSiC-T: a new generation of systems – crystals of silicon carbide (SiC) for mass production. [Electronic resource]. Access Mode: https://1prime.ru/press_release/20131001/767293694.html
4. V. V. Luchinin and Yu. M. Tairov, Nanoindustry, No. 1, 36 (2010).
5. A. G. Merzhanov, in Self-propagating high-temperature synthesis: Twenty years of searches and finds (ISMAN, Chernogolovka, 1989).
6. A. G. Merzhanov and I. P. Borovinskaya, Dokl. Akad. Nauk SSSR. 204 (2), 366 (1972).
7. A. G. Merzhanov, Dokl. Akad. Nauk. 353 (4), 504 (1997).
8. O. Yamada, Y. Miyamoto, and M. Koizumi, Amer.Cer. Bull. 64 (2), 319 (1985).
9. P. Pampuch, L. Stobierski, J. Liz, and M. Raczka, Mat. Res. Bull. 22, 1225 (1987).
10. P. Pampuch, L. Stobierski, and J. Liz, J. Amer. Cer. Soc. 72 (8), 1434 (1989).
11. T. S. Kvashina, Yu. L. Krutsky, N. Yu. Cherkasova, R.I. Kuzmin, and A.G. Tyurin, Dokl. Acad. Nauk Higher School of Rus. Fed. 4 (37), 80 (2017).
12. O. D. Moskovskih, A. S. Mukasyan, and A. S. Rogachev, Dokl. Acad. Nauk. 449 (2), 176 (2013).
Выпуск

ОБЩАЯ ФИЗИКА
Брюков М. Г., Дмитрук А. С., Василяк Л. М., Арутюнов В. С. Кинетика генерации озона во влажном воздухе УФ-излучением ртутной лампы низкого давления 5
Зиенко С. И. Усиление света в фононном крыле спектра люминесценции ограненного алмаза 11
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Акишев Ю. С., Петряков А. В., Трушкин Н. И. Газоразрядный источник соосных и разнонаправленных плазменных струй на основе барьерного разряда в радиально-сходящемся потоке 18
Курбанисмаилов В. С., Голятина Р. И., Майоров С. А., Рагимханов Г. Б., Халикова З. Р., Рамазанов И. Г. О влиянии распыления электродов на характеристики импульсного разряда в гелии при атмосферном давлении 24
Голятина Р. И., Майоров С. А. О влиянии магнитного поля на диффузию и дрейф электронов в аргоне 32
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ПЛАЗМЕННЫЕ ПУЧКИ
Гольденберг А. Л., Лещева К. А., Мануилов В. Н. Влияние неоднородности эмиссии на качество винтовых пучков, формируемых неадиабатическими электронно-оптическими системами гироприборов 40
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Кульчицкий Н. А., Дирочка А. И. Электронная томография атомных и молекулярных пучков в молекулярно-лучевой эпитаксии 45
Ларионов Н. А., Мощев И. С., Залетаев Н. Б. Ячейка считывания матричного фотоприемного устройства ИК-диапазона для пассивного детектирования источников лазерного излучения 52
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гоглидзе Т. И., Дементьев И. В., Суринов В. Г., Фещенко В. С., Чукита В. И. Влияние условий синтеза порошкообразного оксида цинка на его фотолюминесцентные свойства 57
Жильников А. А., Жильников Т. А., Жулев В. И. Регистрация магнитного поля внутри намагничиваемых плотноупакованных гранулированных ферромагнитных сред 63
Кравчук Д. А. Экспериментальное исследование акустических сигналов при оптоакустическом эффекте в суспензии с полистирольными дисками как моделями эритроцитов 70
Неверов В. А., Мамин Б. Ф., Сидоров Р. И., Скворцов Д. А. Применение метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при полу-чении шихты для производства объемных монокристаллов карбида кремния 74
Сыроватко Ю. В. Расчет энтропии эвтектических фаз WC и W2C в сплаве W–C методом статистической обработки фотоизображений 79
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Асланян А. Э. Моделирование изменения параметров поршневой пары высокого давления с рабочей жидкостью ПЭС-3 при параболическом распределении давления в зазоре между поршнем и цилиндром 85
Кузьмичев Н. Д., Васютин М. А., Шилкин Д. А. Оценка чувствительности датчика магнитного поля на основе наногранулированного нитрида ниобия 92
GENERAL PHYSICS
M. G. Bryukov, A. S. Dmitruk, L. M. Vasilyak, and V. S. Arutyunov Kinetics of ozone generation in humid air by UV radiation of a low-pressure mercury lamp 5
S. I. Zienko Amplification of light in the phonon wing of the luminescence spectrum of a cut diamond 10
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS Yu. S. Akishev, A. V. Petryakov, and N. I. Trushkin Gas-discharge source of coaxial and opposite directed plasma jets based on a barrier discharge in radially converging gas flow 18
V. S. Kurbanismailov, R. I. Golyatina, S. A. Maiorov, G. B. Ragimkhanov, Z. R. Khalikova, and I. G. Ramazanov On the effect of electrode sputtering on the characteristics of a pulsed discharge in helium at atmospheric pressure 24
R. I. Golyatina and S. А. Maiorov Effect of Magnetic Field on Diffusion and Drift of Electrons in Argon 32
ELECTRON, ION, AND LASER BEAMS
A. L. Goldenberg, K. A. Leshcheva, and V. N. Manuilov Influence of emission inhomogeneity on the quality of helical beams formed by nonadiabatic electron-optical system of gyro-devices 40
PHOTOELECTRONICS
N. A. Kulchitsky and A. I. Dirochka Electron tomography of atomic and molecular beams in molecular beam epitaxy 45
N. A. Larionov, I. S. Moshchev, and N. B. Zaletaev A reading cell for an IR array photodetector designed for passive detection of laser radiation sources in space 52
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
T. I. Goglidze, I. V. Dement’ev, V. G. Surinov, V. S. Feshchenko, and V. I. Chukita Influence of conditions for the synthesis of powdered zinc oxide on its photoluminescent properties 57
A. A. Zhilnikov, T. A. Zhilnikov, and V. I. Zhulev Registration of the magnetic field inside magnetizable close-packed granular medium 63
D. A. Kravchuk An experimental study of acoustic signals with an optoacoustic effect in suspension with poly-styrene disks as models of red blood cells 70
V. A. Neverov, B. F. Mamin, R. I. Sidorov, and D. A. Skvortsov The mixture obtained by the method of self-propagating high-temperature synthesis for the pro-duction of bulk single crystals of silicon carbide 74
Yu. V. Syrovatko Calculation of the entropy of the eutectic phases WC and W2C in alloy W–C by the method of statistical processing of photo-images 79
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
A. E. Aslanyan Simulation of changes in parameters of a high-pressure piston-cylinder unit with a PES-3 work-ing liquid with a parabolic pressure distribution in the gap between the piston and the cylinder 85
N. D. Kuzmichev, M. A. Vasyutin, and D. A. Shilkin Evaluation of the sensitivity of a magnetic field sensor based on nanogranulated niobium nitride 92
Другие статьи выпуска
С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.
Целью исследования являлось провести экспериментальные исследования лазерного возбуждения акустического сигнала в натрий-фосфатном растворе с полистирольными дисками как моделями эритроцитов, для установления моделируемого уровня гематокрита. Получен экспериментально акустический сигнал от моделей двояковогнутых эритроцитов в натрий-фосфатном растворе с помощью оптоакустического метода от лазера ND: YAG для различных концентраций. Акустические сигналы, формируемые в результате оптоакустического преобразования, имеют различные амплитуды, фор-мы и длительности. Анализ полученных экспериментально акустических сигналов позволяет сделать вывод о применимости метода для определения уровня гемато-крита на примере модельных полистирольных эритроцитов.
Предложен способ, позволяющий посредством сканирования и последующего использования метода вычислительной томографии производить для намагничиваемых плотноупакованных гранулированных сред, неразрушающую регистрацию векторной функции поля магнитной индукции. Измерению подвергаются периодические во времени магнитные поля, с получением результата измерения в любых точках сканируемого пространства для произвольно выбранных моментов времени без механического проникновения в среду.
Представлены экспериментальные результаты по применению микроволнового излучения при синтезе порошкообразного оксида цинка ZnO и исследованию фотолюминесцентных свойств синтезированных порошков. Проведено сравнение характеристик излучательных свойств порошков с аналогичными характеристиками образцов ZnO, полученных методами химического и гидротермального осаждения. Показаны технологические преимущества предлагаемого метода и стабилизирующее воздействие отжига на параметры порошкообразных материалов, в частности, на их фотолюминесцентные свойства.
Представлена концепция ячейки считывания матричных фотоприемных устройств для детектирования лазерного излучения в ИК диапазоне. Особенностью ячейки сч итывания является наличие детектора импульсного излучения, позволяющего восст ановить форму сигнала. Использование так ого подхода позволяет по форме и частоте сигнала определить тип объекта.
Представлен конструктивно простой и достаточно универсальный метод определения интенсивностей атомных и молекулярных пучков, основанный на регистрации величины малоуглового рассеяния электронов, возникающих при взаимодействии узкого электронного луча с атомами испаряемого вещества.
Изучено влияние неоднородности термоэлектронной эмиссии на качество винтовых электронных пучков, формируемых неадиабатическими электронно-оптическими системами (ЭОС) гиротронов с кольцевой щелью. Показано, что допустимая степень неоднородности плотности тока эмиссии не должна превышать 50 %. Рассмотрена возможность применения неадиабатических ЭОС для формирования двухлучевых электронных потоков, пригодных для использования в гиротронах с двухзеркальными резонаторами. Найдены оптимальные угловые размеры зон эмиссии парциальных пучков для получения приемлемых параметров ВЭП.
В работе представлены результаты расчетов характеристик дрейфа электронов в аргоне для случая постоянного и однородного электрического и магнитного полей. Приведенные напряженности электрического поля 10, 30, 100 Тд, при индукции магнитного поля до 10 Тл при плотности газа 10 17 атомов в см 3 представляют основной интерес для физики газоразрядной плазмы во многих приложениях. Рассмотрено влияние как про дольного, так и поперечного магнитного поля на основные характеристики дрейфа, включая неупругие процессы. Приведены результаты расчетов энергобала нса электронов и показано, что с увеличением поперечного магнитного поля неупругие процессы подавляются, а ср едняя энергия при этом уменьшается незначительно (для 10 E N 100 Тд). Проанализированы основные закономерности изменения коэффициентов продольной и поперечной диффузии в зависимости от параметра Холла. Для случая поперечного магнитного поля исследована зависимость тока Холла от силы магнитного поля. Проведено сравнение с известными аналитическими оценками ск орости дрейфа и коэффициентов диффузии диффузии.
В работе представлены результаты экспериментального и численного исследования импульсного разряда в гелии атмосферного давления. Из данных покадровых картин формирования разряда и спектрального состава излучения установлено, что развитие разряда сопровождается распылением материала электрода. Методом Монте-Карло выполнены расчеты ионизационно-дрейфовых характеристик электронов и ионов в гелии с парами железа и показано, что даже очень малые примеси атомов железа в гелии существенно меняют функцию распределения электронов по энергиям и зарядовый состав плазмы. Рассчитаны и протабулированы диффузионно-дрейфовые характеристики ионов железа в гелии в зависимости от приведенной напряженности электрического поля – средняя энергия ионов, их продольная и поперечная температуры, коэффициенты диффузии вдоль и поперек направления поля. Исследована функция распределения ионов по скоростям и угловая зависимость ионов, бомбардирующих поверхность.
Разработан и создан оригинальный источник неравновесных низкотемпературных плазменных струй на основе барьерного разряда в радиально-сходящемся потоке атомарных и молекулярных газов при атмосферном давлении. Электродная система разряда состоит из двух параллельных кварцевых дисков, в геометрическом центре которых сделаны два соосных одинаковых отверстия. На внешнюю сторону каждого диска наклеена металлическая фольга в форме широкого кольца, соосного отверстиям. Поток газа направлен от периферии дисков к их центру и выходит наружу по нормали к поверхности дисков через узкие отверстия. В результате формируются две соосные плазменные струи, перпендикулярные дискам и направленные в разные стороны. Аналогов разработанного источника двух соосных и разнонаправленных плаз-менных струй в литературе нет. Источник опробован для плазменной обработки диэлектрических нитей, которые протягиваются через отверстия в барьерах и постоянно обволакиваются плазменными струями. Результаты работы показывают практическую возможность использования созданного газоразрядного источника для непрерывной «roll-to-roll» плазменной обработки полимерных нитей с целью улучшения их гидрофильности.
Обнаруженное явление усиления света люминесценции в ограненных алмазах (бриллиантах). Этот эффект наблюдали при возбуждении люминесценции на длине волны 532 нм и связан с задержкой перехода оптических электронов из возбужденного их состояния в нижнее устойчивое положение. В результате чего образуется двухуровневая среда с инверсной населенностью, которая формирует спонтанное и усиленное вынужденное излучение. Временная задержка обусловлена инерционными свойствами диэлектрической релаксации алмаза. Данный эффект может найти применение для «выгодного» освещения ограненных алмазов (бриллиантов) в закрытом помещении.
Предложен механизм образования озона при фотолизе влажного воздуха ультрафиолетовым излучением ртутной лампы низкого давления. Кинетическая схема фотолиза содержит 4 фотохимические реакции, инициируемые квантами излучения на длине волны 184,95 нм, 4 фотохимические реакции, инициируемые квантами излучения на длине волны 253,65 нм, и 35 обратимых элементарных стадий с участием 12 частиц (атомов, радикалов и молекул). Численное моделирование с использованием предложенного механизма показало хорошее согласие с экспериментальными результатами.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400