Статья: Применение метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при получении шихты для производства объемных монокристаллов карбида кремния (2020)

Читать онлайн

С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.

In order to create conditions for the industrial production of modern domestic semiconductor materials for the needs of power and microelectronics by the method of self-propagating high-temperature synthesis, a mixture was obtained, which is necessary for the growth of bulk single crystals of silicon car-bide 4H-polytype with a diameter of 100 mm (150 mm – in the future). The charge synthesis was real-ized on industrial plants of BaSiC-T (PVATepla) growth systems using a number of structural elements of their thermal zone. The analysis of the granulometric, phase and polytype composition of dispersed powders of the SiC-charge obtained under various synthesis conditions is carried out.

Ключевые фразы: карбид кремния, шихта, самораспространяющийся высокотемпературный синтез, silicon carbide, charge, self-propagating high-temperature synthesis
Автор (ы): Неверов Вячеслав Александрович
Соавтор (ы): Скворцов Денис Александрович, Мамин Бари Фяттяхович, Сидоров Роман Игоревич
Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
536.46. Горение и другие реакции. Пламя
54.05. Получение, выделение, синтез, очистка и т.д.
eLIBRARY ID
43995285
Для цитирования:
НЕВЕРОВ В. А., СКВОРЦОВ Д. А., МАМИН Б. Ф., СИДОРОВ Р. И. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ПРИ ПОЛУЧЕНИИ ШИХТЫ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2020. № 4
Текстовый фрагмент статьи