Исходя из физических аспектов вариантов реализации различных типов датчиков, в работе формируются базовые функциональные требования к элементам системы мониторинга технического состояния авиационных конструкций, расположенных на борту летательного аппарата. Установлено, что наибольший интерес для практических целей представляет поиск дефектов вблизи поверхности объемных конструкций, либо внутри относительно тонких пластин. Выявлены критерии физических явлений для оптимизации параметров системы мониторинга с точки зрения разрешающей способности и весовой эффективности. Приведены типы датчиков для использования в системе мониторинга.
На основании статистических закономерностей регистрации ядерных излучений в книге рассматриваются вопросы чувствительности радиометрических установок, предназначенных для измерения малых активностей. Дается связь чувствительности с фоном установок, эффективностью счета и полным временем измерения.
Для установок, в которых подавлена космическая компонента фона, вводится понятие постоянства фона. Показано, что такие установки обладают вдвое большей чувствительностью по сравнению с обычными. Рассматриваются пути увеличения чувствительности установок. Описан новый способ снижения космической части фона без применения счетчиков антисовпадений.
Книга будет полезна всем специалистам, которым приходится сталкиваться с измерением малых активностей, и специалистам, работающим в области увеличения чувствительности радиометрической аппаратуры.
Описаны конструкция и способ изготовления высококонтрастных в рентгеновском спектральном поддиапазоне коротких длин волн ( 2,55 Å) рентгеношаблонов, являющихся инструментом для формирования резистивных масок толщиной до 250 мкм из негативных и до 1 мм из позитивных резистов. Данные рентгеношаблоны могут быть также использованы в поддиапазоне средних длин волн (810 Å) и в качестве переходных шаблонов при изготовлении LIGA-шаблонов, применяемых в поддиапазоне ультракоротких длин волн (0,53 Å). Способ изготовления базируется на кремниевой планарной технологии. Были изготовлены два вида шаблонов с преимущественно алюминиевой мембраной. Проведенная работа показывает, что, базируясь на данной технологии, можно изготавливать рентгеношаблоны и LIGAшаблоны со слоистыми несущими мембранами, выполненными из слоёв сравнительно легких материалов типа титана, алюминия, кремния и т. п., толщины которых могут варьироваться в зависимости от предназначения шаблона.
Представлены результаты численного моделирования параметров выходного излучения и эффективности лазера на парах меди, возбуждаемого импульсно-периодическим индукционным разрядом трансформаторного типа. Такой безэлектродный способ возбуждения является новым для лазера на парах меди и на практике пока не осуществлён. Выбраны параметры макета малого масштаба для проведения экспериментов по накачке индукционным разрядом рабочей среды такого лазера. Решена тепловая задача и определена дополнительная мощность, необходимая для нагрева разрядной трубки до требуемой температуры при пониженных мощностях разряда, возбуждающего лазерную среду.
Построена гидродинамика трехфазных многокомпонентных сред в континуальном приближении. В элементе континуума каждая фаза характеризуется собственной скоростью. В основу теории положены законы сохранения и принцип относительности Галилея. Получены уравнения движения и состояния трехфазного трехкомпонентного континуума.
Работа представляет интерес для физиков, петрологов, физиков, использующих в своих подходах законы фильтрации, многофазных сред.
В статье рассмотрена локальная задача определения напряженно-деформированного состояния (НДС) конструкции с развитием межслоевого повреждения. Представлен вариант с возможностью применения в системах мониторинга программной реализации математического аппарата для моделирования роста трещины, выявлены эффекты, характеризующие поведение материала. В результате исследования на основе численного моделирования представлено изменение параметра трещиностойкости в зависимости от длины трещины для термопластичного и реактопластичного связующего.
Исследовано влияние УФ-излучения на радиационную долговечность некоторых полимеров при различных условиях испытания. Изучена кинетика роста трещин образцах из пленок диацетилцеллюлозы как при наличии УФ-облучения, так и без него. Предложен закон сложения скоростей радиационного vj и термофлуктуационного v разрушения в условиях фотомеханической деструкции.
В представленной работе приводятся результаты исследований люминесцентных свойств поверхности сапфира покрытой нанокластерами золота. В качестве метода возбуждения люминесценции в работе был использован поток быстрых электронов с ускоряющим напряжением 40 кВ. Показано, что в ультрафиолетовой области спектра катодолюминесценции чистого сапфира при малых ускоряющих напряжениях (40 кВ) свечение практически отсутствует. После нанесения покрытия золота свечение в ультрафиолетовой области усиливается за счет интенсивной генерации вакансий кислорода в области контакта золота с сапфиром. Показано, что F+-полоса люминесценции при возбуждении потоком быстрых электронов является в сапфире основной, а F-полоса подавлена. Продемонстрировано плазмонное усиление интенсивности люминесценции, как в ультрафиолетовой, так и красной области спектра при нанесении нанокластеров золота. При фокусировке пучка электронов обнаружен эффект усиления люминесценции в ультрафиолетовой области и температурного гашения в красной области спектра. Усиление интенсивности люминесценции F+- центров связано с генерацией новых вакансий кислорода и перезарядкой старых.
Исследованиями механизмов переноса тока в pSi-nSi1-xSnx структур в интервале температур 293–393 К было установлено, что в Si1-xSnx (0 x 0,04) твердом растворе существенную роль в формировании электрических свойств играет рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нанообразованиях. И этим доказано, что, эпитаксиальные пленки твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), полученные на кремниевых подложках, могут быть перспективными при изготовлении диодов, работающих в режиме двойной инжекции.
Осаждением в СВЧ-плазме (2,45 ГГц) в смеси метан-силан-водород на подложках кремния и монокристаллического алмаза синтезированы композитные пленки алмазкарбид кремния кубического политипа (3C-SiC). Структура и фазовый состав пленок проанализированы методами сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Удельное сопротивление пленок при температуре T = 340 К составило (0,8−6)10-2 Омсм. Температурные зависимости (T), измеренные в диапазоне 300−460 К, свидетельствуют о полупроводниковом характере электропроводности композитного материала, с энергией активации 0,09–0,20 эВ. Подобные композиты, состоящие из двух широкозонных полупроводников с отличными электронными свойствами и высокой теплопроводностью, потенциально могут быть интересными для применений в электронике.