Научный архив: статьи

Впервые получено интегро-дифференциальное уравнение для расчета проникновения магнитного поля в сверхпроводник в мейснеровском состоянии для нестационарного случая с учетом возбуждения как сверхпроводящих, так и нормальных электронов согласно двухжидкостной модели сверхпроводников. При синусоидальном изменении магнитного поля данное интегро-дифференциальное уравнение сводится к модифицированному уравнению Лондонов, в котором получено комплексное выражение для глубины проникновения переменного магнитного поля в зависимости от частоты изменения магнитного поля и долей концентраций нормальных и сверхпроводящих электронов. С помощью модифицированного уравнения Лондонов рассмотрено проникновение переменного магнитного поля в плоскопараллельную сверхпроводящую пластину конечной толщины в зависимости от частоты поля.

Исследование квазистационарного электромагнитного поля на оси тороидального соленоида электрометрическим методом. Произведен эксперимент по обнаружению электрического поля на оси внутреннего отверстия экранированного тороидального соленоида с переменным током частотой 50 Гц. Измеренная электрометрическим методом ЭДС составляет 250 мВ. Показа-но, что это не связано с магнитным полем рассеяния. Полученный результат объясняется присутствием на оси тороида нестационарного векторного потенциала. За счет этого возникает силовое воздействие на электроны в металлическом зонде. Обсуждаются возможные теоретические вопросы и технические задачи, связанные с использованием электрических систем тороидального типа. Исследование квазистационарного электромагнитного поля на оси тороидального соленоида электрометрическим методом. Произведен эксперимент по обнаружению электрического поля на оси внутреннего отверстия экранированного тороидального соленоида с переменным током частотой 50 Гц. Измеренная электрометрическим методом ЭДС составляет 250 мВ. Показа-но, что это не связано с магнитным полем рассеяния. Полученный результат объясняется присутствием на оси тороида нестационарного векторного потенциала. За счет этого возникает силовое воздействие на электроны в металлическом зонде. Обсуждаются возможные теоретические вопросы и технические задачи, связанные с использованием электрических систем тороидального типа.

Датчики систем пожарной охраны для бюджетного потребителя имеют высокую долю ложных срабатываний. Представлен проект многоспектральной системы обнаружения возгорания, в которой полезный сигнал выделяется на фоне ложных помех путем комбинации сигналов с сенсоров, анализирующих изображения в нескольких спектральных (видимом, среднем ИК-, тепловом ИК-) диапазонах. Приведены результаты тестовых испытаний

Рассмотрено текущее состояние и перспективы развития мирового рынка
полупроводникового поликристаллического кремния (ПКК). Отмечено, что после долгого
периода низких цен на ПКК, что препятствовало росту инвестиций в отрасль, наступает пе-
риод выравнивания цен до уровня инвестиционной привлекательности. Приведены оценки баланса спроса и предложения до 2024 г. и в долгосрочной перспективе. Проанализированы основные технологические схемы получения ПКК в современных условиях. Отмечено, что некоторый профицит рынка ПКК сохранится в ближайшей и среднесрочной перспективе.

Однако провозглашенный всеми правительствами «зеленый поворот» в энергетике, развитие локальных рынков и восстановление цен до инвестиционно-привлекательного уровня, способствовали появлению новых проектов заводов по производству ПКК. Важным для России является вопрос выбора технологических особенностей реализации метода Сименс-ТХС.
Особенность ситуации в России — это наличии нескольких крайне важных рынков (солнечной энергетики, микроэлектроники, силовой электроники, фотоники, волоконной оптики), которые являются по мировым меркам незначительными и в равной мере испытывающими нехватку собственного сырья. Для России, по-видимому, особенную ценность могут представлять комплексные проекты

В прошлом году исполнилось 150 лет гениальному предсказанию Д.И. Менделеева, опи-
савшего свойства еще никому не известного экасилиция. Он отвел под него одну из пу-
стых ячеек своей таблицы – с предполагаемой атомной массой и другими характеристиками. А через 15 лет состоялось открытие этого элемента немецким химиком Клеменсом Александром Винклером, который получил его из редкого минерала – аргиродита (4Ag2S-GeS2) и назвал германием, предварительно заручившись на то согласием Менделеева.

Полупроводниковые материалы, в первую очередь кремний, занимают одно из ведущих мест в ряду компонентов, определяющих уровень развития современной электронной
техники. Теперь рассмотрим наиболее важные ранние исследования и разработки российских ученых по материаловедению и созданию промышленной базы производства полупроводникового кремния, в том числе малоизвестные. Публикация приурочена к 60-летию получения первого промышленного монокристалла кремния и к 70-летию начала промышленного полупроводникового материаловедения в России.

В работе обсуждается современное состояние технологии получения, а также особенности мирового рынка арсенида галлия, дан анализ тенденций его развития. Рассмотрены особенности различных технологий выращивания кристаллов арсенида галлия; проведен анализ характеристик получаемых материалов, приборов на их основе, а также основных производителей

Полупроводниками в широком смысле слова называют вещества, занимающие по степени удельного сопротивления промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Некоторые из них по своим свойствам ближе к металлам, другие – к неметаллам. Однако вопрос, сколько именно элементов Периодической системы обладают полупроводниковыми свойствами, порой вызывает разногласия. Обычно говорят 12, но могут ответить, что 13 и даже 14, имея в виду также элементы, входящие в состав сложных полупроводников.

О сложных полупроводниках, их производстве и применении и пойдет речь в данной статье.

В статье показаны результаты краткого анализа рынка GaAs-пластин, представлен обзор основных продуктов оптоэлектроники, перечислены мировые производители-лидеры
изделий (слитков, пластин и эпитаксиальных слоев) GaAs и рассмотрена ситуация российской базы производства GaAs-материалов. Двойное полупроводниковое соединение арсенид галлия (GaAs) – традиционный материал СВЧ‑электроники. До недавних пор одним из наиболее быстрорастущих сегментов рынка применений этого материала были высокочастотные интегральные схемы (ИС) на GaAs для мобильной телефонии. Однако
парадигма развития рынка GaAs меняется.
Новым двигателем развития мирового рынка арсенида галлия становится фотоника.