Повышение чувствительности кремниевых p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны 1,06 мкм (2018)
Исследованы возможности повышения уровня чувствительности p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны λ = 1,06 мкм. Проведён расчёт двухслойного просветляющего покрытия, состоящего из плёнок SiO2 и Si3N4. Представлены результаты эксперимента, проведённого на основании данного расчёта.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2018)